افزایش استخراج نور از LEDها مبتنی بر GaN با شکل و ساختارهای کریستال فوتونی شبکه هندسی گوناگون

افزایش استخراج نور از LEDها مبتنی بر GaN با شکل و ساختارهای کریستال فوتونی شبکه هندسی گوناگون

افزایش استخراج نور از LEDها مبتنی بر GaN با شکل و ساختارهای
کریستال  فوتونی شبکه هندسی گوناگونتعداد صفحات : 45 با فرمت ورد و قابل ویرایشچکیده  1 فصل اول: کلیات تحقیق1-1-تعریف موضوع
پژوهش 21-2-اهداف پژوهش 31-3-تعریف
اصطلاحات 31-3-1-کریستال  31-3-2-GaN  41-3-2-1-مزایای استفاده از GaN  61-3-2-2-معایب GaN  71-3-2-3-کاربردهای GaN 71-3-3-کریستال فوتونی 81-3-4-فرآیند
سونش 91-3-5-آزمایشگاه
میکروسکوپ الکترونی(SEM) 
9فصل دوم:مروری بر تحقیقات انجام شده2-1- مروری بر تحقیقات و
مطالعات اصلی 122-1-1-تاریخچه ومقدمه 
142-2-موضوعات
مرتبط 162-2-1-بلورهای
فوتونیکی 162-2-1-1-روش های ساخت بلورهای
فوتونیکی 162-2-1-2-کاربرد بلورهای
فوتونیکی 172-2-3-لیتو
گرافی  182-2-4-میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM)  192-2-4-1- آماده سازی
نمونه 202-2-5-فرآیند لومینسانس
و فتولومینسانس 202-2-5-1-انواع
فلوروسانس 212-2-6-لیتو گرافی
باریکه الکترونی 22فصل سوم:مواد و روشها3-1-ابزار گردآوری
اطلاعات 243-2-روش های گرد آوری اطلاعات 253-2-1-اسناد  253-2-2-مصاحبه  263-2-3-مشاهدات  263-2-4-پرسش
نامه 273-2-4-1-طبقه بندی براساس ماهیت
پرسش نامه 273-3-محدودیت های
پژوهش 28فصل چهارم: نتایج4-1-نتایج  29فصل پنجم: بحث و نتیجه گیری5-1-عنوان مقاله  315-1-1-مقدمه  315-1-2-آزمایشگاه  315-1-3-نتایج
بحث  325-2-نتیجه
گیری  37منابع فارسی   38منابع
انگلیسی  39چکیده
انگلیسی  40چکیده فارسی: ساختارهای کریستال فوتونی با اشکال متفاوت حفره های هوایی به شکل مثلثی، مربعی و دایره ای برروی دیودهای انتشار نور مبتنی بر GaN آبی با استفاده از لیتوگرافی (به معنی عکاسی صنعتی می باشد) پرتو الکترون و فرایندهای سونش آزمایشگاهی القایی ساخته می شوند. وابستگی افزایش نوردهی از LED های طرح دار با شکل و تقارن هندسی ساختارهای کریستال فوتونی دوبعدی توضیح داده شده است.مطالعات نشان می دهد که LED
ها با ساختار کریستال نوری شبکه شش ضلعی با حفره های هوایی مربعی 5برابر
بیشتر از نمونه بدون ساختار کریستال فوتونی نور را منتشر می کنند. کلمات کلیدی :LED -کریستال – کریستال فوتونی – نیترید گالیوم – فرایند سونش-